GaAs სუბსტრატი
აღწერა
გალიუმის არსენიდი (GaAs) არის მნიშვნელოვანი და მომწიფებული ჯგუფის III-Ⅴ ნაერთი ნახევარგამტარი, ის ფართოდ გამოიყენება ოპტოელექტრონიკასა და მიკროელექტრონიკაში.GaAs ძირითადად იყოფა ორ კატეგორიად: ნახევრად საიზოლაციო GaAs და N- ტიპის GaAs.ნახევრად საიზოლაციო GaAs ძირითადად გამოიყენება MESFET, HEMT და HBT სტრუქტურებით ინტეგრირებული სქემების დასამზადებლად, რომლებიც გამოიყენება რადარის, მიკროტალღური და მილიმეტრიანი ტალღების კომუნიკაციებში, ულტრა მაღალსიჩქარიან კომპიუტერებსა და ოპტიკურ ბოჭკოვან კომუნიკაციებში.N- ტიპის GaAs ძირითადად გამოიყენება LD, LED, ინფრაწითელ ლაზერებთან ახლოს, კვანტური ჭაბურღილების მაღალი სიმძლავრის ლაზერებში და მაღალი ეფექტურობის მზის უჯრედებში.
Თვისებები
| კრისტალი | დოპირებული | გამტარობის ტიპი | ნაკადების კონცენტრაცია სმ-3 | სიმკვრივე სმ-2 | ზრდის მეთოდი |
| GaAs | არცერთი | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
GaAs სუბსტრატის განმარტება
GaAs სუბსტრატი ეხება გალიუმის არსენიდის (GaAs) ბროლის მასალისგან დამზადებულ სუბსტრატს.GaAs არის რთული ნახევარგამტარი, რომელიც შედგება გალიუმის (Ga) და დარიშხანის (As) ელემენტებისაგან.
GaAs სუბსტრატები ხშირად გამოიყენება ელექტრონიკის და ოპტოელექტრონული სფეროებში მათი შესანიშნავი თვისებების გამო.GaAs სუბსტრატების ზოგიერთი ძირითადი თვისება მოიცავს:
1. ელექტრონების მაღალი მობილურობა: GaAs-ს აქვს ელექტრონების უფრო მაღალი მობილურობა, ვიდრე სხვა ჩვეულებრივი ნახევარგამტარული მასალები, როგორიცაა სილიციუმი (Si).ეს მახასიათებელი ხდის GaAs სუბსტრატს შესაფერისი მაღალი სიხშირის მაღალი სიმძლავრის ელექტრონული მოწყობილობებისთვის.
2. პირდაპირი დიაპაზონის უფსკრული: GaAs-ს აქვს პირდაპირი ზოლის უფსკრული, რაც ნიშნავს, რომ ეფექტური სინათლის გამოსხივება შეიძლება მოხდეს ელექტრონებისა და ხვრელების ხელახლა გაერთიანებისას.ეს მახასიათებელი ხდის GaAs სუბსტრატებს იდეალური ოპტოელექტრონული აპლიკაციებისთვის, როგორიცაა სინათლის ასხივების დიოდები (LED) და ლაზერები.
3. Wide Bandgap: GaAs-ს აქვს უფრო ფართო ზოლი, ვიდრე სილიკონი, რაც საშუალებას აძლევს მას იმუშაოს მაღალ ტემპერატურაზე.ეს თვისება საშუალებას აძლევს GaAs-ზე დაფუძნებულ მოწყობილობებს იმუშაონ უფრო ეფექტურად მაღალი ტემპერატურის პირობებში.
4. დაბალი ხმაური: GaAs სუბსტრატებს აქვთ დაბალი ხმაურის დონე, რაც მათ შესაფერისს ხდის დაბალი ხმაურის გამაძლიერებლებს და სხვა მგრძნობიარე ელექტრონულ აპლიკაციებს.
GaAs სუბსტრატები ფართოდ გამოიყენება ელექტრონულ და ოპტოელექტრონულ მოწყობილობებში, მათ შორის მაღალსიჩქარიანი ტრანზისტორები, მიკროტალღური ინტეგრირებული სქემები (ICs), ფოტოელექტრული უჯრედები, ფოტონების დეტექტორები და მზის უჯრედები.
ეს სუბსტრატები შეიძლება მომზადდეს სხვადასხვა ტექნიკის გამოყენებით, როგორიცაა ლითონის ორგანული ქიმიური ორთქლის დეპონირება (MOCVD), მოლეკულური სხივის ეპიტაქსია (MBE) ან თხევადი ფაზის ეპიტაქსია (LPE).გამოყენებული ზრდის სპეციფიკური მეთოდი დამოკიდებულია სასურველ გამოყენებასა და GaAs სუბსტრატის ხარისხის მოთხოვნებზე.
