SiC სუბსტრატი

მოკლე აღწერა:

მაღალი სიგლუვეს
2. მაღალი გისოსების შესატყვისი (MCT)
3.დაბალი დისლოკაციის სიმკვრივე
4.მაღალი ინფრაწითელი გამტარობა

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

აღწერა

სილიციუმის კარბიდი (SiC) არის IV-IV ჯგუფის ორობითი ნაერთი, ის ერთადერთი სტაბილური მყარი ნაერთია პერიოდული ცხრილის IV ჯგუფში, ის მნიშვნელოვანი ნახევარგამტარია.SiC-ს აქვს შესანიშნავი თერმული, მექანიკური, ქიმიური და ელექტრული თვისებები, რაც მას აქცევს ერთ-ერთ საუკეთესო მასალას მაღალი ტემპერატურის, მაღალი სიხშირის და მაღალი სიმძლავრის ელექტრონული მოწყობილობების დასამზადებლად, SiC ასევე შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც სუბსტრატის მასალა. GaN-ზე დაფუძნებული ლურჯი სინათლის დიოდებისთვის.ამჟამად, 4H-SiC არის ძირითადი პროდუქტები ბაზარზე, ხოლო გამტარობის ტიპი იყოფა ნახევრად საიზოლაციო და N ტიპის.

Თვისებები

ელემენტი	2 დიუმიანი 4H N-ტიპი
დიამეტრი	2 ინჩი (50.8 მმ)
სისქე	350+/-25 მმ
ორიენტაცია	ღერძიდან 4.0˚ <1120> ± 0.5˚ მიმართ
პირველადი ბრტყელი ორიენტაცია	<1-100> ± 5°
მეორადი ბინა ორიენტაცია	90.0˚ CW ძირითადი ბინიდან ± 5.0˚, Si სახე ზემოთ
პირველადი ბრტყელი სიგრძე	16 ± 2.0
მეორადი ბინის სიგრძე	8 ± 2.0
შეფასება	წარმოების ხარისხი (P)	კვლევის ხარისხი (R)	მოჩვენებითი კლასი (D)
წინააღმდეგობა	0,015~0,028 Ω·სმ	< 0,1 Ω·სმ	< 0,1 Ω·სმ
მიკრომილის სიმკვრივე	≤ 1 მიკრომილაკი/სმ²	≤ 10 მიკრომილები/სმ²	≤ 30 მიკრომილაკი/სმ²
ზედაპირის უხეშობა	Si სახე CMP Ra <0,5 ნმ, C სახის Ra <1 ნმ		არ არის, გამოსაყენებელი ფართი > 75%
TTV	< 8 მმ	< 10 მმ	< 15 მმ
მშვილდი	<±8 მმ	<±10მმ	<±15მმ
გადახვევა	< 15 მმ	< 20 მმ	< 25 მმ
ბზარები	არცერთი	კუმულაციური სიგრძე ≤ 3 მმ ზღვარზე	კუმულაციური სიგრძე ≤10 მმ, მარტოხელა სიგრძე ≤ 2 მმ
ნაკაწრები	≤ 3 ნაკაწრი, კუმულაციური სიგრძე < 1* დიამეტრი	≤ 5 ნაკაწრი, კუმულაციური სიგრძე < 2* დიამეტრი	≤ 10 ნაკაწრი, კუმულაციური სიგრძე < 5* დიამეტრი
Hex ფირფიტები	მაქსიმუმ 6 ფირფიტა, <100 მმ	მაქსიმუმ 12 ფირფიტა, <300 მმ	არ არის, გამოსაყენებელი ფართი > 75%
პოლიტიპის ზონები	არცერთი	კუმულაციური ფართობი ≤ 5%	კუმულაციური ფართობი ≤ 10%
დაბინძურება	არცერთი